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六方氮化硼修饰分子印迹电化学传感器检测氯氰菊酯
引用本文:董泽刚,兰天宇,马丽娇,杜海军,杨洋.六方氮化硼修饰分子印迹电化学传感器检测氯氰菊酯[J].化学试剂,2019(10).
作者姓名:董泽刚  兰天宇  马丽娇  杜海军  杨洋
作者单位:贵州民族大学生态环境工程学院;贵州民族大学材料科学与工程学院
摘    要:以六方氮化硼(h-BN)修饰玻碳电极(GCE-BN)为基底,苯酚为功能单体,通过电聚合法成功制备了可用于水样中氯氰菊酯(CYP)快速检测的分子印迹聚合膜传感器。借助拉曼光谱仪和扫描探针显微镜表征聚合膜的物相组成和表面结构,采用恒电位诱导法洗脱模板分子,差分脉冲伏安法(DPV)评价传感器的灵敏度。结果表明:传感器响应电流变化值(Δi)与氯氰菊酯的浓度在2. 0×10~(-8)~3. 0×10~(-7)mol/L范围内呈良好的线性关系,检出限低至8. 5×10~(-9)mol/L,水样加标平均回收率在96. 3%~100. 2%之间。传感器制备简单,检测成本低廉,兼具良好的稳定性、选择性,具有良好的应用前景。

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