钨丝掺杂碳化硅的高速冲击力学性能研究 |
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引用本文: | 孙红婵,胡冰,李晨辉,王鑫阁,王波,曹静,张丽娜.钨丝掺杂碳化硅的高速冲击力学性能研究[J].中国陶瓷,2014(12):49-51. |
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作者姓名: | 孙红婵 胡冰 李晨辉 王鑫阁 王波 曹静 张丽娜 |
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作者单位: | 河北联合大学机械工程学院 |
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摘 要: | 放电等离子烧结技术制备了钨丝掺杂碳化硅(Si C-W)和Si C材料。分离式霍普金森压杆系统对Si C-W和Si C进行高速冲击力学性能试验。实验表明,高速冲击下Si C-W产生5%的应变,最大强度到达1000 MPa。并通过扫描电子显微镜对Si C-W高速冲击后的断口组织进行了观察。
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关 键 词: | 钨丝 碳化硅 分离式霍普金深压杆系统 高速冲击 |
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