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| 氮偏压对α-GaAs_（1-x）N_x薄膜性能的影响 | |
| 引用本文： | 张丽明,王莹.氮偏压对α-GaAs_（1-x）N_x薄膜性能的影响[J].陕西化工,2012(4):588-590. |
| 作者姓名： | 张丽明 王莹 |
| 作者单位： | 商丘职业技术学院,河南商丘476000 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目（60572001） |
| 摘 要： | 采用磁控溅射方法在硅片上制备了不同氮偏压下的非晶GaAs1-xNx薄膜,结合拉曼光谱仪和椭偏仪等手段对样品进行了表征。结果表明,掺入氮气后,α-GaAs薄膜的拉曼光谱有明显变化;随着氮偏压的升高,α-GaAs1-xNx薄膜的折射率和消光系数逐渐减小,其峰值向短波长略微移动。另外,α-GaAs1-xNx薄膜在红外和近红外波段内几乎是透明的。 |
| 关 键 词： | 磁控溅射 GaAs1-xNx薄膜 拉曼光谱仪 椭偏仪 |
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