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低能N+注入蒽降解菌诱变研究
引用本文:魏明宝,魏丽芳,郑先君,周军.低能N+注入蒽降解菌诱变研究[J].河南化工,2006,23(7):11-13.
作者姓名:魏明宝  魏丽芳  郑先君  周军
作者单位:郑州轻工业学院,材料与化工学院,河南,郑州,450002
摘    要:利用N 注入蒽降解菌进行诱变选育,在10 keV、8×1015N /cm2的注入条件下,得到一株高效降解蒽菌株,其降解蒽能力和降解速度比出发菌有明显提高,多次传代实验表明该菌株的遗传稳定性较好.

关 键 词:离子注入  诱变    降解菌
文章编号:1003-3467(2006)07-0011-03
收稿时间:2006-05-08
修稿时间:2006-05-08

Study on Mutation of Anthrancene Degradation Bacteria with Low Energy N Ion Implantation
WEI Ming-bao,WEI Li-fang,ZHENG Xian-jun,ZHOU Jun.Study on Mutation of Anthrancene Degradation Bacteria with Low Energy N Ion Implantation[J].Henan Chemical Industry,2006,23(7):11-13.
Authors:WEI Ming-bao  WEI Li-fang  ZHENG Xian-jun  ZHOU Jun
Abstract:
Keywords:ion implantation  mutation  anthrancene  degradation bacteria
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