| 真空条件下多热源法合成高纯β-SiC微粉 |
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| 引用本文： | 王国卫,王晓刚,吴泽民,陆树河,邓丽荣.真空条件下多热源法合成高纯β-SiC微粉[J].硅酸盐通报,2019,38(2):478-481. |
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| 作者姓名： | 王国卫 王晓刚 吴泽民 陆树河 邓丽荣 |
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| 作者单位： | 西安科技大学,材料科学与工程学院,西安 710054;西安科技大学,材料科学与工程学院,西安 710054;西安科技大学,材料科学与工程学院,硅镁节能与多联产工程中心,西安 710054 |
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| 摘 要： | 以高纯的硅质原料和碳质原料为合成原料,采用多热源法在真空条件下合成出了β-SiC微粉。用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、化学分析及激光粒度分析仪等分析测试手段对合成产物进行了表征。结果表明,合成产物晶相为β-SiC,纯度达99%以上,一级品中晶体颗粒多为半自形体和自形体。温度越高,合成的β-SiC微粉晶型程度越好,纯度也相应的提高。当温度超过1758℃时,合成产物由β-SiC转变为α-SiC。
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| 关 键 词： | 真空合成 多热源 β-SiC微粉 |
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