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| SiC质耐火材料的氧化机理 | |
| 引用本文： | 张丽鹏,吴永霞,魏明坤.SiC质耐火材料的氧化机理[J].现代技术陶瓷,2002,23(3):24-27,30. |
| 作者姓名： | 张丽鹏 吴永霞 魏明坤 |
| 作者单位： | 1. 山东理工大学化学工程学院,淄博,255012 2. 山东胶州市水泥厂,胶州,266300 3. 武汉理工大学材料学院,武汉,430070 |
| 摘 要： | SiC材料是一种性能优良的耐火材料，具有高导热性，高抗热震性，良好的高温强度等优点，但是由于碳化硅在氧化性气体，如O2，CO2，水蒸汽中发生膨胀劣化，严重影响SiC耐火材料的使用湿度和应用范围，本文主要讨论不同结合剂类型的SiC耐火材料的氧化特征，并提出抗氧化的可能途径。 |
| 关 键 词： | 碳化硅 SiC质 耐火材料 氧化机理 |
Oxidizing Mechanism of Silicon Carbide Refractory Material |
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| Zhang Lipeng.Oxidizing Mechanism of Silicon Carbide Refractory Material[J].Advanced Ceramics,2002,23(3):24-27,30. | |
| Authors: | Zhang Lipeng |
| Abstract: | Silicon carbide is one of excellent refractory material with high thermal conductivity, resistance to thermal shock and excellent strength in high temperature,O2,CO2,water vapor it could which seiously influences the applied scope and working temperature of silicon carbide. In this paper, the oxidized characteristic of the refractory material with different kinds of bonding agents was discussed and the way to oxidation-resistance was given. |
| Keywords: | Silicon carbide refractory material oxidize |
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