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单片集成pH 值传感芯片的设计和研究
引用本文:施朝霞,章旌红.单片集成pH 值传感芯片的设计和研究[J].浙江工业大学学报,2011,39(1):97-100.
作者姓名:施朝霞  章旌红
作者单位:浙江工业大学信息工程学院, 浙江杭州310023
基金项目:浙江省教育厅基金资助项目
摘    要:基于标准0 .6 μm CMOS 工艺设计了单片集成pH 值传感芯片.传感单元MOS 管采用多层 悬浮栅结构, 氮化硅钝化层作为氢离子敏感层.片上信号处理电路恒定传感单元MOS 管的源漏电 压和源漏电流, 控制传感单元输出电压与溶液pH 值呈线性关系.传感芯片采用离子敏传感单元和 参考单元的差分拓扑结构, 减少电路的固定模式噪声.pH 值传感芯片经实测在pH 值1 ~ 13 范围 内的平均灵敏度为35 .8 mV/pH .

关 键 词:pH  值传感芯片  氮化硅  灵敏度  

Design and research of monolithic integrated chip for pH sensor
SHI Zhao-xia,ZHANG Jing-hong.Design and research of monolithic integrated chip for pH sensor[J].Journal of Zhejiang University of Technology,2011,39(1):97-100.
Authors:SHI Zhao-xia  ZHANG Jing-hong
Abstract:
Keywords:
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