| 多晶硅栅对LDMOS-SCR器件ESD防护性能的影响 |
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| 引用本文： | 黄龙,梁海莲,顾晓峰,董树荣,毕秀文,魏志芬.多晶硅栅对LDMOS-SCR器件ESD防护性能的影响[J].浙江大学学报(自然科学版 ),2015(2):366-370. |
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| 作者姓名： | 黄龙 梁海莲 顾晓峰 董树荣 毕秀文 魏志芬 |
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| 作者单位： | 江南大学轻工过程先进控制教育部重点实验室;浙江大学微电子与光电子研究所;西安西电电力系统有限公司 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(61171038,61150110485);中央高校基本科研业务费专项资金(JUSRP51323B,JUDCF13032);江苏省科技厅产学研联合创新资金前瞻性联合研究项目(BY2013015-19);江苏省普通高校研究生创新计划CXLX13_747) |
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| 摘 要： | 为了研究多晶硅栅对内嵌可控硅(SCR)的横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS-SCR)器件静电放电(ESD)防护性能的影响,基于0.35μm Bipolar-CMOS-DMOS(BCD)工艺制备了LDMOS-SCR与SCR器件,并利用传输线脉冲测试比较它们的ESD特性.通过仿真2种器件在不同强度ESD应力下的电流密度分布,比较器件内部触发电流泄放路径的开启顺序;通过仿真2种器件在强电压回滞下的电流线和晶格温度的分布,分析因电场影响电流泄放的方式以及温度的分布而导致ESD鲁棒性的差异.仿真和测试结果表明,与SCR相比,具有多晶硅栅的LDMOS-SCR有多条导通路径且开启速度快,有更均匀的电流和电场分布;触发电压降低了12.5%,失效电流提高了27.0%,ESD鲁棒性强.
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| 关 键 词： | 静电放电 可控硅 横向扩散金属氧化物半导体 多晶硅栅 传输线脉冲测试 |
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