| 碱性铜抛光液在65nm多层铜布线平坦化中的应用 |
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| 引用本文： | 刘玉岭,王辰伟,牛新环,曹阳.碱性铜抛光液在65nm多层铜布线平坦化中的应用[J].河北工业大学学报,2013(1):1-5. |
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| 作者姓名： | 刘玉岭 王辰伟 牛新环 曹阳 |
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| 作者单位： | 河北工业大学微电子技术与材料研究所 |
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| 基金项目： | 国家中长期发展规划重大科技专项(2009ZX02308);天津市自然科学基金重点项目(10JCZDJC15500) |
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| 摘 要： | 为适应极大规模集成电路(GLSI)集成度按摩尔定律飞速发展的需要,同时解决国际酸性化学机械平坦化(CMP)技术存在的多项问题,本文研发了以多羟多胺为螯合剂的不含副作用大的苯并三唑(BTA)的碱性铜布线抛光液.实验结果表明:研发的碱性铜抛光液在常态下对铜几乎不反应(20/min),而在常压(2 psi)CMP下,能够快速地去除铜膜,去除速率(RR)高达8 235/min(工业要求5 000/min).凹处自钝化,凸处快速率,实现了高的平坦化效率.8层铜布线平坦化结果表明,60s可消除约1.162 m的高低差,且单层图形片基本实现平坦化(高低差<10 nm),抛光后表面粗糙度低(0.178 nm),表面洁净度高.
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| 关 键 词： | 极大规模集成电路 碱性铜抛光液 化学机械平坦化 速率 高低差 |
Application of alkaline copper slurry on the planarization of 65 nm multilayer copper wiring |
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| LIU Yu-ling,WANG Chen-wei,NIU Xin-huan,CAO Yang.Application of alkaline copper slurry on the planarization of 65 nm multilayer copper wiring[J].Journal of Hebei University of Technology,2013(1):1-5. |
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| Authors: | LIU Yu-ling WANG Chen-wei NIU Xin-huan CAO Yang |
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| Affiliation: | (Institute of Microelectronics,Hebei University of Technology,Tianjin 300130,China) |
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