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| 多晶硅太阳电池的氮化硅薄膜性能研究 | |
| 引用本文： | 勾宪芳,许颖,任丙彦,马丽芬.多晶硅太阳电池的氮化硅薄膜性能研究[J].河北工业大学学报,2005,34(5):27-30. |
| 作者姓名： | 勾宪芳 许颖 任丙彦 马丽芬 |
| 作者单位： | 1. 河北工业大学,信息功能材料研究所,天津,300130;北京市太阳能研究所,北京,100083 2. 北京市太阳能研究所,北京,100083 3. 河北工业大学,信息功能材料研究所,天津,300130 |
| 基金项目： | 北京市科技新星计划(H020821480130) |
| 摘 要： | 用等离子体化学气相沉积（PECYD）法,通过改变SiH4：N2]/NH3]的流量比沉积SiN薄膜.用椭圆偏振仪、准稳态光电导衰减法（QSSPCD）、X射线光电子能谱（XPS）、红外吸收光谱（IR）、反射谱,测试氮化硅薄膜的厚度、折射率、少子寿命、Si/N、氢含量、反射率.研究了多晶硅太阳电池沉积氮化硅薄膜的性能,结果发现：沉积温度350℃,沉积时间5 min,SiH4：N2]/NH3]=4：1时,沉积氮化硅硅片寿命高、氢含量高钝化效果好、反射率低. |
| 关 键 词： | 多晶硅 太阳电池 等离子体化学气相沉积 氮化硅 少子寿命 |
| 文章编号： | 1007-2373(2005)05-0027-04 |
| 修稿时间： | 2005年5月12日 |
The Characteriztion of Silicon Niteride (SiN) Thin Films on Multi-crystalline Solar Cells |
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| GOU Xian-fang,XU Ying,REN Bing-yan,MA Li-fen.The Characteriztion of Silicon Niteride (SiN) Thin Films on Multi-crystalline Solar Cells[J].Journal of Hebei University of Technology,2005,34(5):27-30. | |
| Authors: | GOU Xian-fang XU Ying REN Bing-yan MA Li-fen |
| Affiliation: | GOU Xian-fang1,2,XU Ying2,REN Bing-yan1,MA Li-fen1,2 |
| Abstract: | |
| Keywords: | polycrystalline silicon solar cell Silicon nitride PECVD carrier lifetime |
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