| 真空定向凝固对钛硅合金相分离及晶体生长的影响 |
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| 引用本文： | 吕天龙,魏奎先,宋向阳,朱奎松,胡敬飞,马文会.真空定向凝固对钛硅合金相分离及晶体生长的影响[J].昆明理工大学学报(理工版),2019,44(6):1-6. |
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| 作者姓名： | 吕天龙 魏奎先 宋向阳 朱奎松 胡敬飞 马文会 |
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| 作者单位： | 昆明理工大学真空冶金国家工程实验室,云南昆明650093;昆明理工大学冶金与能源工程学院,云南昆明650093;昆明理工大学真空冶金国家工程实验室,云南昆明650093;省部共建复杂有色金属资源清洁利用国家重点实验室,云南昆明650093;昆明理工大学冶金与能源工程学院,云南昆明650093;昆明理工大学冶金与能源工程学院,云南昆明,650093 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金;教育部长江学者和创新团队发展计划项目;云南省中青年学术;技术带头人后备人才项目 |
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| 摘 要： | Ti-85wt.%Si合金熔体通过定向凝固后成功地实现了Si相的分离和TiSi_2晶体的定向生长.研究发现,定向凝固下拉速度为15μm/s时,铸锭的分离界面呈包裹式分布,而3μm/s时铸锭的分离界面横向分布在铸锭的中下部;当下拉速度为3μm/s时,TiSi_2晶粒出现层状结构并且沿某一确定方向生长,并且随着定向凝固的进行,富集层厚度逐渐增加,导致铸锭底部散热能力比侧壁散热能力弱,导致沿铸锭侧壁温度梯度大于沿铸锭底部的梯度,此时TiSi_2将在侧壁形核并沿纵向温度生长,由于侧壁晶粒生长速度大于底部晶粒生长速度,使得分离界面出现弧形结构.当下拉速为3μm/s时获得铸锭的富Si层中Si的质量分数最大,为79.9%.
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| 关 键 词： | Ti-85wt. Si合金 真空定向凝固 晶体生长 相分离 |
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