| (1102)γ面蓝宝石生长的(1120)α面氮化镓研究 |
| |
| 引用本文： | 许晟瑞,段焕涛,郝跃,张进城,张金凤,倪金玉,胡仕刚,李志明.(1102)γ面蓝宝石生长的(1120)α面氮化镓研究[J].西安电子科技大学学报,2009,36(6). |
| |
| 作者姓名： | 许晟瑞 段焕涛 郝跃 张进城 张金凤 倪金玉 胡仕刚 李志明 |
| |
| 作者单位： | 西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,陕西,西安,710071 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金重点项目资助，973计划项目资助 |
| |
| 摘 要： | 自发极化和压电极化是氮化镓制作光电器件没有解决的问题,对非极性GaN材料的研究解决了极化现象.采用低温AIN作为缓冲层,在(1102)γ面蓝宝石和(0001)с面蓝宝石上分别生长了(1120)非极性α面和(0001)极性с面GaN,用原子力显微镜和高分辨X射线衍射、光致发光谱比较了生长在γ面蓝宝石上的α面GaN和с面蓝宝石上的с面GaN,α面GaN材料质量和с面GaN相差较大,在α面GaN上发现了三角坑的表面形貌,这和传统的с面生长的极性GaN截然不同.对α面GaN的缺陷形成原因进行了讨论,并且确定了三角坑缺陷的晶向.
|
| 关 键 词： | 缺陷 氮化镓 X射线衍射 非极性 |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ |
|
