| Si衬底上外延3C-SiC薄层结构及光学常数分析 |
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| 引用本文： | 雷天民,陈治明,马剑平,余明斌,胡宝宏,王建农.Si衬底上外延3C-SiC薄层结构及光学常数分析[J].西安电子科技大学学报,1999,26(4):480-483. |
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| 作者姓名： | 雷天民 陈治明 马剑平 余明斌 胡宝宏 王建农 |
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| 作者单位： | 西安理工大学电子工程系，香港科技大学 |
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| 摘 要： | 采用热丝化学气相淀积生长法，在Ｓｉ衬底上外延生长３Ｃ－ＳｉＣ薄层获得成功，生成源为ＣＨ４＋ＳｉＨ４＋Ｈ２混合气体，热丝温度约为１８００－２０００℃，碳化和生长时底温度低于１０００℃，用Ｘ射线衍射，变角椭偏法等分析手段研究了外延层的晶体结构和光学常数，Ｘ射线衍射结果显示出３Ｃ－ＳｉＣ薄层的外延生长特征，变角椭偏法测量出外延层的折射率为２．６８６，光不常数随深度变化曲线表明薄层结构分布衬底晶向有关。
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| 关 键 词： | 碳化硅 外延 薄层 结构 光学常数 |
Structure and optical constant study of 3C-SiC films epitaxially grown on Si substrates |
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| LEI Tian-min,CHEN Zhi-ming,MA Jian-ping,YU Ming-bin,HU Bao-hong,WANG Jian-nong.Structure and optical constant study of 3C-SiC films epitaxially grown on Si substrates[J].Journal of Xidian University,1999,26(4):480-483. |
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| Authors: | LEI Tian-min CHEN Zhi-ming MA Jian-ping YU Ming-bin HU Bao-hong WANG Jian-nong |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | SiC epitaxy film structure optical constant |
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