| 铟量子点实现单电子晶体管方法 |
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| 引用本文： | 郭荣辉,赵正平,郝跃,刘玉贵,武一斌,吕苗.铟量子点实现单电子晶体管方法[J].西安电子科技大学学报,2006,33(2):186-189. |
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| 作者姓名： | 郭荣辉 赵正平 郝跃 刘玉贵 武一斌 吕苗 |
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| 作者单位： | [1]西安电子科技大学微电子研究所,陕西西安710071 [2]河北半导体研究所,河北石家庄050051 |
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| 基金项目： | 国家部委科技重点项目项目 |
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| 摘 要： | 研究了一种新型的铟量子点单电子晶体管，它是利用电子束直写系统的高分辨率和分子束外延设备的高度可控生长方法得到的．实现了在纳米电极间隙上生长铟量子点．该结构由量子点充当单电子晶体管的库仑岛，构成了多岛结构的单电子晶体管．
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| 关 键 词： | 单电子晶体管 库仑阻塞 量子点 |
| 文章编号： | 1001-2400（2006）02-0186-04 |
| 收稿时间： | 2005-04-05 |
| 修稿时间： | 2005-04-05 |
A novel SET process with Indium quantum islands |
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| GUO Rong-hui,ZHAO Zheng-ping,HAO Yue,LIU Yu-gui,WU Yi-bin,L Miao.A novel SET process with Indium quantum islands[J].Journal of Xidian University,2006,33(2):186-189. |
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| Authors: | GUO Rong-hui ZHAO Zheng-ping HAO Yue LIU Yu-gui WU Yi-bin L Miao |
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| Affiliation: | (1) Research Inst. of Microelectronics, Xidian Univ., Xi’an 710071， China;(2) Hebei Semiconductor Research Institute, Shijiazhuang 050051， China |
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| Abstract: | A new Single-electron Transistor with Indium Quantum Dots is presented. By virtue of the high resolution of the EBL and the accurately controllable growth of the MBE,Indium Ouantum Dots are ~own in the nanometer gap of the electrodes. With these Indium quantum dots as coulomb islands, a kind of SET with multi-islands is prepared, and the coulomb blockade effect is observed successfully. |
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| Keywords: | single-electron transistors Coulomb blockade quantum dots |
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