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退火工艺对Nd掺杂Ca0.4Sr0.6Bi4Ti4O15薄膜的性能影响
引用本文:张伟.退火工艺对Nd掺杂Ca0.4Sr0.6Bi4Ti4O15薄膜的性能影响[J].山东建筑大学学报,2009,24(6):539-542.
作者姓名:张伟
作者单位:山东英才学院,建筑工程学院,山东,济南,250104
摘    要:利用Sol-Gel法、快速退火工艺在Pt(100)/Ti/SiO2/Si衬底上成功制备了Nd掺杂的Ca0.4Sr0.6Bi4Ti4O15(C0.4S0.6NT)铁电薄膜.分别研究了退火工艺中热解温度、退火温度对C0.4S0.6NT薄膜取向及铁电性能的影响,并探讨了C0.4S0.6NT薄膜取向生长的微观机制.XRD衍射分析表明:350℃热分解温度得到的薄膜I(200)/I(119)达到最大;退火温度达到700℃,薄膜中的Bi2Ti2O7相全部转化成铋层状钙钛矿相;P-E电学性能测试显示:退火温度高有助于提高薄膜的剩余极化(Pr);350℃热分解温度,750℃退火温度得到高(200)取向的薄膜,铁电性能较好,Pr 和Ec分别为14.2μC/cm2和84.5kV/cm.

关 键 词:C0.4S0.6NT薄膜  Nd掺杂  Sol-Gel法  取向  性能

Effect of annealing process on properties of Nd doping Ca0.4Sr0.6Bi4Ti4O15 ferroelectric film
ZHANG Wei.Effect of annealing process on properties of Nd doping Ca0.4Sr0.6Bi4Ti4O15 ferroelectric film[J].Journal of Shandong Institute of Architecture and Engineering,2009,24(6):539-542.
Authors:ZHANG Wei
Abstract:
Keywords:
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