| MOSFET栅氧化过程界面分凝行为的二维工艺仿真 |
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| 引用本文： | 陈慧凯,邢建平.MOSFET栅氧化过程界面分凝行为的二维工艺仿真[J].山东大学学报(工学版),2002,32(5):476-479. |
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| 作者姓名： | 陈慧凯 邢建平 |
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| 作者单位： | 250100,山东省济南市,山东大学信息科学与工程学院 |
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| 摘 要： | 使用TSUPREM - 4二维集成电路工艺仿真系统对P -MOS栅氧化过程中杂质分凝行为进行了计算机仿真 以数据方式和绘图方式定量地描述了杂质的分凝行为 ,提出了调节氧化步序和氧化模式来抑制杂质分凝效应的方法
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| 关 键 词： | 计算机辅助设计 计算机模拟 集成电路 |
| 文章编号： | 1000-5323(2002)05-0476-04 |
| 修稿时间： | 2002年3月1日 |
TWO-DIMINSIONAL SIMULATION OF THE MOSFET INTERFACE SEGREGATION IN GATE OXIDITION PROCESS |
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| CHEN,Hui,kai,XING,Jian,ping.TWO-DIMINSIONAL SIMULATION OF THE MOSFET INTERFACE SEGREGATION IN GATE OXIDITION PROCESS[J].Journal of Shandong University of Technology,2002,32(5):476-479. |
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| Authors: | CHEN Hui kai XING Jian ping |
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| Abstract: | The simulation of P MOS gate oxidation process impurity segregate effect is implemented with the TSUPPEM 4 2D IC Process Simulation System. Impurity segregate effect is described quantificatively by data and plot. The methd used to change oxidation step and mode to restrain impurity segregate effect is given. |
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| Keywords: | Computer aided design Computerized simulation Integrated circuits |
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