| 溴基钙钛矿量子点发光二极管的制备及性能优化 |
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| 引用本文： | 陈嘉敏,崔向前,胡陆峰,叶志祥,王宁,李波波,仇明侠.溴基钙钛矿量子点发光二极管的制备及性能优化[J].深圳大学学报(理工版),2023(6):688-695. |
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| 作者姓名： | 陈嘉敏 崔向前 胡陆峰 叶志祥 王宁 李波波 仇明侠 |
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| 作者单位： | 1. 深圳技术大学新材料与新能源学院;2. 深圳大学应用技术学院 |
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| 基金项目： | 教育部产学研协同育人资助项目（202002105037）； |
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| 摘 要： | 为了研究量子点发光层薄膜厚度对钙钛矿量子点发光二极管(perovskite quantum dot lightemitting diodes,PeLED)电-光转换效率的影响，采用配体辅助再沉淀法(ligand assisted reprecipitation,LARP)室温合成铯铅溴(CsPbBr3)钙钛矿量子点，并用其制备出稳定绿光发射的PeLED．通过比较不同发光层厚度CsPbBr3 PeLEDs的发光效率，获得量子点发光层的最佳膜厚为43.2 nm．采用CsPbBr3作为PeLED发光层时的器件外量子效率(external quantum efficiency,EQE)较低，为提高PeLED的电-光转换效率，用FASn0.3Pb0.7Br3量子点替代CsPbBr3作为发光层，并选用聚乙烯基咔唑(polyvinylcarbazole,PVK)、聚(N,N’-(4-正丁基苯基)-N,N’-二苯基-1,4-苯二胺)-ALT-(9,...
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| 关 键 词： | 光电子学 CsPbBr3钙钛矿量子点 FASn0. 3Pb0. 7Br3钙钛矿量子点 配体辅助再沉淀法 空穴传输层 量子点发光二极管 |
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