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| 立方氮化硼半导体材料的进展 | |
| 引用本文： | 洪时明.立方氮化硼半导体材料的进展[J].四川大学学报(工程科学版),1989(3). |
| 作者姓名： | 洪时明 |
| 作者单位： | 成都科技大学高温高压物理研究所 |
| 摘 要： | 1987年以来,在日本,以立方氮化硼大单晶的合成为基础,研制了能耐650℃高温的cBN_(p-n)结二极管,进而还发现cBN二极管作为固体发光元件其电致发光光谱在紫外光区域内。 |
| 关 键 词： | 立方氮化硼 半导体材料 耐高温二极管 固体发光元件 |
New Progress of Cubic Boron Nitride in Semiconductor Material |
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| Hong Shiming.New Progress of Cubic Boron Nitride in Semiconductor Material[J].Journal of Sichuan University (Engineering Science Edition),1989(3). | |
| Authors: | Hong Shiming |
| Affiliation: | Hong Shiming |
| Abstract: | |
| Keywords: | cubic boron nitride semiconductor material heat-resisting diode light emitting diode |
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