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MOSFET与IGBT的驱动和保护方法
引用本文:李素玲,赵霞.MOSFET与IGBT的驱动和保护方法[J].山东工程学院学报,1998,12(3):23-27.
作者姓名:李素玲  赵霞
摘    要:半导体场效应晶体管MOSFET和绝缘栅双极晶体管IGBT都具有低损耗开关特性,但其驱动方法和保护方法却有明显的区别。本文从其结构,速率,驱动功率,等方面阐述了它们的差别。

关 键 词:驱动功率  保护方法  MOSFET  LGBT  半导体器件
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