| 温度对V2O3系材料电子结构的影响 |
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| 引用本文： | 周静,陈文,徐庆,顾少轩,闵新民. 温度对V2O3系材料电子结构的影响[J]. 武汉理工大学学报, 2001, 23(3): 8-11 |
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| 作者姓名： | 周静 陈文 徐庆 顾少轩 闵新民 |
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| 作者单位： | 武汉理工大学 |
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| 基金项目： | 湖北省重点科技攻关项目(961P0209). |
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| 摘 要： | 采用自洽场离散变分Xα（SCC-DV-Xα）方法对（V0.9950Cr0.0025Al0.0025）2O3体系分别处于25℃及200℃时的电荷分布、态密度、能级结构等进行了研究。结果表明，温度对电子结构的影响导致材料的电导率发生显著变化，变化趋势与实验结果相一致，对钒系PTC材料的进一步研制具有理论指导意义。
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| 关 键 词： | 温度；V2O3系；电子结构；电导率 |
| 修稿时间： | 2000-10-24 |
Effect of Temperature on Electronic Structure in V2O3 System Materials |
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| Zhou Jing,Chen Wen,Xu Qing,Gu Shaoxuan,Min Xinming. Effect of Temperature on Electronic Structure in V2O3 System Materials[J]. Journal of Wuhan University of Technology, 2001, 23(3): 8-11 |
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| Authors: | Zhou Jing Chen Wen Xu Qing Gu Shaoxuan Min Xinming |
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| Affiliation: | Zhou Jing Chen Wen Xu Qing Gu Shaoxuan Min Xinming |
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| Abstract: | The charge distribution,density of state and level structure are studied with SCC-DV-Xαmethod in (V0.9950Cr0.0025Al0.0025)2O3 at 25 ～200 ℃.The results showed that the effect of temperature on electronic structure can cause the remarkable changes of conductivity for the materials,which is consistent with the experiments. |
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| Keywords: | temperature V 2O 3 system electronic structure conductivity |
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