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| Si_3N_4对硅晶体中微缺陷的吸除 | |
| 引用本文： | 叶以正,周士仁,修志伟,钦万昌,南昌范,高杨,周伟东,杨奎,薛正镠.Si_3N_4对硅晶体中微缺陷的吸除[J].哈尔滨工业大学学报,1982(1). |
| 作者姓名： | 叶以正 周士仁 修志伟 钦万昌 南昌范 高杨 周伟东 杨奎 薛正镠 |
| 作者单位： | 哈尔滨工业大学 (叶以正，周士仁，修志伟，钦万昌)，国营曙光无线电厂 (南昌范，高杨，周伟东，杨奎)，上海测试技术研究所材料室(薛正镠) |
| 摘 要： | 本文介绍了用CVD 技术通过SiH_4 H_2系统在硅片上沉积硬质Si_3N_4可吸除外延层和CZ 单晶中微缺陷的实验结果。证明在硅片背面生长上Si_3N_4可显著地吸除外延层中的“雾状”微缺陷,也可吸除CZ 单晶中的旋涡状微缺陷。离子探针分析指出,被吸除的杂质主要是Na、Ca、K、Mg、Cu 和O_2等。实验证明用吸除后的硅片制管,可明显地提高三极管的成品率和电特性。 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |