C6H6掺杂MgB2超导块材的制备及其磁通钉扎机制

以镁粉(Mg)、硼粉(B)和苯(C_6H_6)为原料,经高能球磨和固相烧结制备C_6H_6掺杂的MgB_2超导块材,研究C_6H_6掺杂对MgB_2相演化、微观结构及超导临界电流密度Jc的影响。结果表明:C_6H_6掺杂几乎不改变MgB_2的形成温度;C进入MgB_2晶格替代B,晶格常数a逐渐减小,晶粒逐渐细化;掺杂C_6H_6摩尔分数为0.04的MgB_2样品具有相对低的超导临界转变温度T_c,为31 K,但却表现出优异的J_c,其在高温20 K、高磁场强度2 T下,Jc保持在3.6×10~4A/cm~2,这主要得益于晶界钉扎和点钉扎的混合磁通钉扎机制。