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| 金属表面等离子体对GaN-LED光提取特性的影响 | |
| 引用本文： | 刘宏伟,刘雨鑫,于丹丹,王迪,郭凯,郏成奎.金属表面等离子体对GaN-LED光提取特性的影响[J].天津工业大学学报,2019(3). |
| 作者姓名： | 刘宏伟 刘雨鑫 于丹丹 王迪 郭凯 郏成奎 |
| 作者单位： | 天津工业大学电子与信息工程学院;西北农林科技大学机械与电子工程学院 |
| 摘 要： | 为了提高光提取效率,分析在GaN发光二极管(LED)结构中的光波矢传播模型,并分析Ag光子晶体的表面等离激元和能带结构;同时模拟未覆盖和覆盖Ag光子晶体的GaN-LED结构的发光,通过改变Ag光子晶体直径、周期和入射光的角度,分析不同晶格方向的GaN-LED的光提取效率。结果表明:当Ag光子晶体的周期为800 nm、直径为70 nm时,GaN-LED的总透射率达到最大值,光提取效率提高了34.43%。 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |