| Ar/CH_4流量比对a-C∶H薄膜沉积速率及性能的影响 |
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| 引用本文： | 弥谦,王超,惠迎雪,张艳茹,杭凌侠.Ar/CH_4流量比对a-C∶H薄膜沉积速率及性能的影响[J].西安工业大学学报,2012(8):608-612. |
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| 作者姓名： | 弥谦 王超 惠迎雪 张艳茹 杭凌侠 |
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| 作者单位： | 西安工业大学陕西省薄膜技术与光学检测重点实验室,西安710032 |
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| 基金项目： | 陕西省科学技术研究发展计划项目（2010KW-07）;陕西省教育厅科研计划项目（12JK0433） |
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| 摘 要： | 为研究气体流量比对非平衡磁控溅射沉积含氢类金刚石薄膜（Diamond-Like Carbon,DLC）沉积速率及性能的影响,在不同Ar/CH4流量比条件下将a-C∶H沉积在单晶硅基底,采用傅里叶红外光谱、椭偏仪、表面轮廓仪对薄膜的沉积速率、光学特性及表面粗糙度进行研究.实验结果表明：引入甲烷气体后,非平衡磁控溅射沉积a-C∶H薄膜沉积速率大幅度提高;在3～5μm波段硅基底上镀制a-C∶H膜具有良好的红外增透特性,薄膜峰值透射率明显受到Ar/CH4流量比的影响,Ar/CH4流量比1∶3时,制备的a-C∶H峰值透过率可达69.24%;a-C∶H薄膜的折射率和消光系数随着CH4流量的增加而增大;a-C薄膜的粗糙度要优于a-C∶H薄膜,a-C∶H薄膜的粗糙度随厚度的增加而变大.
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| 关 键 词： | a-C∶H薄膜 非平衡磁控溅射 气体流量比 光学性能 |
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