| 采用Cu／Ti过渡层沉积金刚石薄膜刀具的界面结构 |
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| 引用本文： | 黄扬风,马志斌,汪建华,梅文明.采用Cu／Ti过渡层沉积金刚石薄膜刀具的界面结构[J].武汉化工学院学报,2003,25(4):57-59. |
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| 作者姓名： | 黄扬风 马志斌 汪建华 梅文明 |
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| 作者单位： | 武汉化工学院材料科学与工程学院湖北省等离子体化学与新材料重点实验室，武汉化工学院材料科学与工程学院湖北省等离子体化学与新材料重点实验室，武汉化工学院材料科学与工程学院湖北省等离子体化学与新材料重点实验室，武汉化工学院材料科学与工程学院湖北省等离子体化学与新材料重点实验室 湖北武汉430073，湖北武汉430073，湖北武汉430073，湖北武汉430073 |
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| 摘 要： | 研究了硬质合金基底上Cu／Ti作过渡层化学气相沉积(CVD)金刚石薄膜的界面特性。利用激光Ra—man谱分析了过渡层不同生长阶段金刚石薄膜的质量的影响。采用SEM、EDS对金刚石薄膜硬质合金刀具横截面的结构进行了研究。结果表明：基体中的Co被Cu／Ti作过渡层有效的抑制住；Cu向基体内的扩散改善了基体的性能，提高了界面层金刚石薄膜的质量；Ti的引入促进了金刚石的形核，减少了界面处晶粒间的空隙，提高了金刚石薄膜与基体表面的实际接触面积。
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| 关 键 词： | 金刚石薄膜 Cu／Ti过渡层 界面结构 |
| 文章编号： | 1004-4736(2003)04-0057-03 |
| 修稿时间： | 2003年4月16日 |
Interface structure of diamond film deposited on WC-Co substrate with copper titanium intermediate layer |
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| HUANG Yangfeng,MA Zhibin,WANG Jianghua,MEI Wenming.Interface structure of diamond film deposited on WC-Co substrate with copper titanium intermediate layer[J].Journal of Wuhan Institute of Chemical Technology,2003,25(4):57-59. |
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| Authors: | HUANG Yangfeng MA Zhibin WANG Jianghua MEI Wenming |
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| Abstract: | Interface property of CVD diamond film on WC-Co substrate by copper/titanium intermediate layer was studied. Raman spectroscopy was used to analyse the diamond film on the different proliferation period. SEM and EDS was used to investigate the cross section between the diamond film and WC-Co substrate. The result shows that copper/titanium intermediate layer restrained cobalt in the WC-Co substrate effectively. Pervasions of copper in substrate ameliorate substrate property. Titanium introduction increases the diamond nucleation, decreases the interspace between crystalloids, and improves the virtual tangency area between the diamond film and WC-Co substrate surface. |
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| Keywords: | diamond film copper titanium intermediate layer interface structure |
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