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层状钙钛矿铁电材料的畴结构研究
引用本文:苏东,姚阳阳,丁勇,徐庆宇,陈恺,刘建设,朱劲松,王业宁. 层状钙钛矿铁电材料的畴结构研究[J]. 哈尔滨理工大学学报, 2002, 7(6): 27-28,31
作者姓名:苏东  姚阳阳  丁勇  徐庆宇  陈恺  刘建设  朱劲松  王业宁
作者单位:1. 南京大学,固体微结构物理国家重点实验室,江苏,南京,210093
2. 中科院物理所,北京电子显微镜实验室,北京,100080
3. 清华大学,微电子研究所,北京,100080
基金项目:国家自然科学基金资助(19904005,90207027)
摘    要:利用电子显微镜比较研究了SrBi_2Ta_2O_9(SBT),Bi_3TiTaO_9(BTT),Bi_4Ti_3O_12(BTO),Bi_3.25La_0.75Ti_4O_12(BLT),SrBi_4Ti_4O_15-Bi_4Ti_3O_12(SBTi-BT)和SrBi_4Ti_4O_15-Bi_3.25La_0.75Ti_3O_12(SBTi-BLT)各自的畴结构和形态,并讨论了可能的相关机制.研究结果发现:90°畴的形态和密度各不相同,均受材料本征的内应力影响;90°畴界密度较高的材料对应的疲劳性也较好.

关 键 词:铁电材料 畴结构 铁电存储器 畴界 疲劳 层状钙钛矿结构
文章编号:1007-2683(2002)06-0027-02

Domain Structures of Layered Bismuth Compounds
SU Dong,YAO Yang-yang,DING Yong,XU Qing-yu,CHEN Kai,LIU Jian-she,ZHU Jin-song,WANG Ye-ning. Domain Structures of Layered Bismuth Compounds[J]. Journal of Harbin University of Science and Technology, 2002, 7(6): 27-28,31
Authors:SU Dong  YAO Yang-yang  DING Yong  XU Qing-yu  CHEN Kai  LIU Jian-she  ZHU Jin-song  WANG Ye-ning
Abstract:
Keywords:ferroelectric random access memory  domain wall  fatigue
本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录!
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