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900MHz低噪声放大器的分析与设计
引用本文:周鹏飞,程知群,李进,张胜,徐胜军.900MHz低噪声放大器的分析与设计[J].杭州电子科技大学学报,2009,29(6).
作者姓名:周鹏飞  程知群  李进  张胜  徐胜军
作者单位:杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室,浙江,杭州,310018
基金项目:国家自然科学基金资助项目 
摘    要:利用ADS完成了900MHz低噪声放大器的设计。该文重点分析了偏置电路的设计和稳定性的分析。另外对微带线的高频寄生效应等进行了分析,并针对这些因素利用ADS进行了电磁场仿真计算,最后给出了放大器的仿真结果和最终电路及测试结果。采用ATF35143器件设计,达到了预定的技术指标。

关 键 词:射频微波集成电路  低噪声放大器  噪声系数  阻抗匹配

Design and Analysis of 900MHz Low Noise Amplifier
ZHOU Peng-fei,CHENG Zhi-qun,LI Jin,ZHANG Sheng,XU Sheng-jun.Design and Analysis of 900MHz Low Noise Amplifier[J].Journal of Hangzhou Dianzi University,2009,29(6).
Authors:ZHOU Peng-fei  CHENG Zhi-qun  LI Jin  ZHANG Sheng  XU Sheng-jun
Affiliation:ZHOU Peng-fei,CHENG Zhi-qun,LI Jin,ZHANG Sheng,XU Sheng-jun(Key Lab.of RF Circuit and System,Hangzhou Dianzi University,Hangzhou Zhejiang 310018,China)
Abstract:A 900MHz low noise amplifier(LNA) is designed in this paper,and focus on circuit's bias and stability.Using advanced design system(ADS) analysis non-continuity factor and parasitic factor,the simulation results and measured results were given in the final part of this paper.The measured results show good agreement with the simulation results.
Keywords:RF microwave integrated circuits  LNA  noise factor  impedance matching  
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