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HICUM模型发射极及基极电阻的一种提取方法
引用本文:黄家俊,孙玲玲,刘军.HICUM模型发射极及基极电阻的一种提取方法[J].杭州电子科技大学学报,2005,25(2):5-9.
作者姓名:黄家俊  孙玲玲  刘军
作者单位:杭州电子科技大学CAD所,浙江,杭州,310018
摘    要:对现存BJT等效电路模型发射极与基极电阻参数提取方法进行了总结和对比,并针对HICUM模型改进了提取发射极电阻的方法。改进后的方法有效消除了原方法固有的系统误差,并且同时提取了基极电阻。该方法已被成功应用到InGaP/GaAs HBT参数提取中。

关 键 词:发射极电阻  基极电阻  双极晶体管模型  参数提取
文章编号:1001-9146(2005)02-0005-05
修稿时间:2005年1月19日

A Method to Extract the Emitter and the Base Resistances in HICUM Model
HUANG Jia-jun,SUN Ling-ling,LIU Jun.A Method to Extract the Emitter and the Base Resistances in HICUM Model[J].Journal of Hangzhou Dianzi University,2005,25(2):5-9.
Authors:HUANG Jia-jun  SUN Ling-ling  LIU Jun
Abstract:This paper presents an improved method for extracting the emitter resistance of HICUM model after the analysis and contrasting of the existing BJT equivalent circuit model emitter and base resistances parameters extraction techniques. The improved method effectively eliminates the inherent systematic error of original method, and gets the base resistance simultaneously. This method was successfully applied to InGaP/GaAs HBT parameters extraction.
Keywords:emitter resistance  base resistance  BJT model  parameter extraction
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