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| 一种新的高电子迁移率晶体管I-V解析模型 | |
| 引用本文： | 向兵,侯卫周.一种新的高电子迁移率晶体管I-V解析模型[J].郑州大学学报(工学版),2008,29(3). |
| 作者姓名： | 向兵 侯卫周 |
| 作者单位： | 河南大学物理与电子学院,河南开封475001 |
| 摘 要： | 随着通信技术的发展，HEMT器件的栅长变得越来越短，而早期的速度-场经验公式随着栅长的不断减小已不能精确地描述这种变化．通过对现有的速度-场经验公式的计算机模拟仿真，发现其与实测的文献数据之间存在一定的误差，因而提出一种改进的速度-场经验公式，在线性电荷控制模型的基础上，考虑沟道长度调制效应，解析出一种新的高电子迁移率晶体管（HEMT）I-V模型．仿真结果表明，该模型具有较高的精度． |
| 关 键 词： | 高电子迁移率晶体管 模型 二维电子气 速度-场 |
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