| 一种新的高电子迁移率晶体管Ⅰ-Ⅴ解析模型 |
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| 引用本文： | 向兵,侯卫周.一种新的高电子迁移率晶体管Ⅰ-Ⅴ解析模型[J].郑州大学学报(工学版),2008,29(3). |
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| 作者姓名： | 向兵 侯卫周 |
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| 摘 要： | 随着通信技术的发展,HEMT器件的栅长变得越来越短,而早期的速度-场经验公式随着栅长的不断减小已不能精确地描述这种变化.通过对现有的速度-场经验公式的计算机模拟仿真,发现其与实测的文献数据之间存在一定的误差,因而提出一种改进的速度-场经验公式.在线性电荷控制模型的基础上,考虑沟道长度调制效应,解析出一种新的高电子迁移率晶体管(HEMT)Ⅰ-Ⅴ模型.仿真结果表明,该模型具有较高的精度.
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| 关 键 词： | 高电子迁移率晶体管 模型 二维电子气 速度-场 |
A New High Electronic Mobility Transistor Ⅰ-Ⅴ Analytical Model |
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| XIANG Bing,HOU Wei-zhou.A New High Electronic Mobility Transistor Ⅰ-Ⅴ Analytical Model[J].Journal of Zhengzhou University: Eng Sci,2008,29(3). |
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| Authors: | XIANG Bing HOU Wei-zhou |
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