| 应用于电磁超声的DE类功率放大器驱动电路设计 |
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| 引用本文： | 王新华,滕利臣,王奇之,涂承媛.应用于电磁超声的DE类功率放大器驱动电路设计[J].北京工业大学学报,2016,42(2):203-209. |
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| 作者姓名： | 王新华 滕利臣 王奇之 涂承媛 |
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| 作者单位： | 北京工业大学机械工程与应用电子技术学院,北京,100124;北京工业大学机械工程与应用电子技术学院,北京,100124;北京工业大学机械工程与应用电子技术学院,北京,100124;北京工业大学机械工程与应用电子技术学院,北京,100124 |
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| 基金项目： | 北京市科学技术委员会首都科技条件平台资助项目(Z141100003414001) |
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| 摘 要： | 为了进一步增强电磁超声激励源的激发效能,提高电磁超声换能器的工作效率,基于射频技术提出了一种DE类射频功率放大器,通过采用隔离电源方法,有效地解决了高边金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的“浮地”问题,实现了高频隔离.通过分析MOSFET开关工作状态及控制特性,确立了MOSFET开关的基本工作过程,从而建立了一种MOSFET驱动电路设计方法.通过对关键元件的选型设计与算法研究,构建了DE类功率放大器的驱动电路.实验结果表明:设计的MOSFET驱动电路的输出信号电压幅值为13.4V,占空比50％,频率为1MHz,输出信号稳定,实现了对MOSFET的可靠驱动,能够满足实际应用.
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| 关 键 词： | DE类功率放大器 金属-氧化物半导体场效应晶体管 电源模块 |
Design of a DE Power Amplifier Drive Circuit for Electromagnetic Ultrasonic Source |
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| WANG Xinhua,TENG Lichen,WANG Qizhi,TU Chengyuan.Design of a DE Power Amplifier Drive Circuit for Electromagnetic Ultrasonic Source[J].Journal of Beijing Polytechnic University,2016,42(2):203-209. |
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| Authors: | WANG Xinhua TENG Lichen WANG Qizhi TU Chengyuan |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Class-DE amplifier metal-oxide-semiconductor field effect transistor (MOSFET) power module |
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