| 气相合成法制备6N硫化镉多晶 |
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| 引用本文： | 张程.气相合成法制备6N硫化镉多晶[J].东方电气评论,2021,35(2):86-88. |
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| 作者姓名： | 张程 |
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| 作者单位： | 峨嵋半导体材料研究所,四川 峨眉山614200 |
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| 摘 要： | 超高纯度的硫化镉(CdS)是Ⅱ-Ⅵ族中具有广泛应用的半导体材料,本文以6N硫、6N镉为原料,讲述了一种气相合成6N硫化镉多晶材料的工艺方法,分析了不同合成装置对合成效果的影响,探讨了气相合成硫化镉的工艺过程,包括硫蒸发室、镉蒸发室温度曲线的控制,硫蒸发室和镉蒸发室运载气体流量控制,以达到硫化镉最佳合成工艺条件.
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| 关 键 词： | 硫化镉 合成装置 气相合成法 |
Synthesis of 6 N Polycrystalline Cadmium Sulfide via Vapor Phase |
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| ZHANG Cheng.Synthesis of 6 N Polycrystalline Cadmium Sulfide via Vapor Phase[J].Dongfang Electric Review,2021,35(2):86-88. |
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| Authors: | ZHANG Cheng |
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