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| 带保护功能的功率MOSFET驱动电路 | |
| 引用本文： | 杨碧石.带保护功能的功率MOSFET驱动电路[J].微特电机,2009,37(10). |
| 作者姓名： | 杨碧石 |
| 作者单位： | 南通职业大学,江苏南通,226007 |
| 摘 要： | 0 引言 通常功率场效管内部(栅-源极间)制作了一个保护用的齐纳二极管,由于该齐纳二极管的存在,也将使MOSFET管的栅极输入电容增大.因此,为了提高其开关速度,必须充分考虑栅极输入电容的影响,保证输入电容在开关过程中能很快充放电,因此,在设计功率MOSFET栅极驱动电路时,还必须使控制回路与功率MOSFET构成的主回路之间完全隔离. |
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