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空穴载流子在多晶p-ZnO薄膜中的输运特性研究
引用本文:王相虎,李荣斌.空穴载流子在多晶p-ZnO薄膜中的输运特性研究[J].上海电机学院学报,2010,13(2):71-74.
作者姓名:王相虎  李荣斌
作者单位:上海电机学院机械学院,上海,200245
基金项目:国家自然科学基金,上海市教育委员会重点学科,上海高校选拔培养优秀青年教师科研专项基金,上海电机学院科研启动经费项目 
摘    要:利用变温霍尔测量技术,研究了空穴载流子在Li和N双受主掺杂的p型ZnO多晶薄膜中的输运特性。实验结果和理论模型的比较研究表明:当温度在85~140K时,空穴载流子主要受晶界散射;当温度在140-300K时,空穴载流子主要受晶格振动散射、位错散射和电离杂质散射的共同作用。

关 键 词:变温霍尔  输运特性  散射机制

Hole Transport Properties of p-type Polycrystalline ZnO Film Using Dual-acceptor Doping Method with Lithium and Nitrogen
WANG Xianghu,LI Rongbin.Hole Transport Properties of p-type Polycrystalline ZnO Film Using Dual-acceptor Doping Method with Lithium and Nitrogen[J].JOurnal of Shanghai Dianji University,2010,13(2):71-74.
Authors:WANG Xianghu  LI Rongbin
Affiliation:WANG Xianghu,LI Rongbin(School of Mechanical,Shanghai Dianji University,Shanghai 200245,China)
Abstract:
Keywords:temperature-dependent Hall  transport property  scattering mechanism  
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