| 基于新型分离输出拓扑结构的SiC-MOSFET功率模块应用 |
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| 引用本文： | 林成栋,潘三博,陈道杰,房亚军.基于新型分离输出拓扑结构的SiC-MOSFET功率模块应用[J].上海电机学院学报,2015(1):24-28. |
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| 作者姓名： | 林成栋 潘三博 陈道杰 房亚军 |
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| 作者单位： | 上海电机学院电气学院;Vincotech中国 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金项目资助(U1204515);上海电机学院科研项目资助(12C107) |
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| 摘 要： | 高频化和高功率密度化是电力电子装置发展的趋势,其中最核心的技术就是电力电子器件的高频化。随着应用中开关频率的进一步提高,SiC金属氧化物半导体场效应晶体管(SiCMOSFET)的体二极管正在成为瓶颈。SiC-MOSFET体二极管相对于SiC肖特基二极管,仍然偏大。介绍了一种新型的分离输出拓扑结构,在开关状态下,屏蔽体二极管的导通,降低反向恢复电流,从而降低SiC-MOSFET的开通损耗,同时抑制桥臂直通的风险。使用安捷伦功率器件分析仪B1505A对M34x功率模块进行了性能和效率测试,用VincotechISE软件对典型光伏逆变器的效率进行仿真分析。
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| 关 键 词： | 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC-MOSFET) 逆变器 高开关频率 寄生电感 |
Application of SiC MOSFET-Based Power Modules Using Split Output Topology |
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| LIN Chengdong;PAN Sanbo;CHEN Daojie;FANG Yajun.Application of SiC MOSFET-Based Power Modules Using Split Output Topology[J].JOurnal of Shanghai Dianji University,2015(1):24-28. |
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| Authors: | LIN Chengdong;PAN Sanbo;CHEN Daojie;FANG Yajun |
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| Affiliation: | LIN Chengdong;PAN Sanbo;CHEN Daojie;FANG Yajun;School of Electrical Engineering,Shanghai Dianji University;Vincotech China; |
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