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压接型IGBT器件封装退化监测方法综述
引用本文:李辉,刘人宽,王晓,姚然,赖伟.压接型IGBT器件封装退化监测方法综述[J].电工技术学报,2021,36(12):2505-2521.
作者姓名:李辉  刘人宽  王晓  姚然  赖伟
作者单位:输配电装备及系统安全与新技术国家重点实验室(重庆大学) 重庆 400044
摘    要:压接型IGBT器件是智能电网中大容量电力电子装备的基础核心器件,其可靠性直接关系到装备及电网的运行安全,而封装失效是其主要失效模式,封装退化监测是实现其故障诊断、状态预测及智能运维的关键.针对现有研究大多侧重于传统焊接型IGBT器件封装退化监测的问题,该文以压接型IGBT器件为研究对象,首先,介绍压接型IGBT器件封装结构;然后,系统分析微动磨损失效、栅氧化层失效、接触面微烧蚀失效、边界翘曲失效、弹簧失效、短路失效、开路失效共七种封装失效模式及对应的封装退化监测方法,并提出现有监测方法存在的问题;最后,从封装退化表征及评估、非接触式监测、高灵敏度监测三个方面,展望压接型IGBT器件封装退化监测新思路.

关 键 词:压接型IGBT  封装退化监测  失效模式  可靠性

Review on Package Degradation Monitoring Methods of Press-Pack IGBT Modules
Li Hui,Liu Renkuan,Wang Xiao,Yao Ran,Lai Wei.Review on Package Degradation Monitoring Methods of Press-Pack IGBT Modules[J].Transactions of China Electrotechnical Society,2021,36(12):2505-2521.
Authors:Li Hui  Liu Renkuan  Wang Xiao  Yao Ran  Lai Wei
Abstract:
Keywords:
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