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基于集电极漏电流的IGBT健康状态监测方法研究
引用本文:刘宾礼,肖飞,罗毅飞,汪波,熊又星.基于集电极漏电流的IGBT健康状态监测方法研究[J].电工技术学报,2017,32(16).
作者姓名:刘宾礼  肖飞  罗毅飞  汪波  熊又星
作者单位:舰船综合电力技术国防科技重点实验室(海军工程大学) 武汉 430033
基金项目:国家自然科学基金青年项目,国家自然科学基金重点项目,国家重点基础研究发展计划(973计划)
摘    要:提出一种采用IGBT集电极漏电流对其芯片性能退化进程进行监控的健康状态监测方法。基于IGBT基本结构、半导体物理和器件可靠性物理学,对IGBT电气特征量——集电极漏电流的产生机理、运行规律与性能退化机理进行详细分析,查明了其随性能退化应力水平和施加时间的变化规律。在此基础上,通过将理论分析与解析描述相结合,建立针对IGBT芯片性能退化的集电极漏电流健康状态监测方法。仿真和实验结果验证了该方法的正确性与准确性。该方法对于实现IGBT芯片性能退化进程监控具有一定的理论意义和应用价值。

关 键 词:IGBT芯片性能退化  阈值电压  集电极漏电流  健康状态监测方法

Investigation into the Health Condition Monitoring Method of IGBT Based on Collector Leakage Current
Liu Binli,Xiao Fei,Luo Yifei,Wang Bo,Xiong Youxing.Investigation into the Health Condition Monitoring Method of IGBT Based on Collector Leakage Current[J].Transactions of China Electrotechnical Society,2017,32(16).
Authors:Liu Binli  Xiao Fei  Luo Yifei  Wang Bo  Xiong Youxing
Abstract:
Keywords:Performance degradation of IGBT chip  threshold voltage  collector leakage current  health condition monitoring method
本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录!
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