| 超高速半导体开关RSD的开通机理与大电流特性研究 |
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| 引用本文： | 余岳辉,梁琳,李谋涛,刘玉华,刘璐.超高速半导体开关RSD的开通机理与大电流特性研究[J].电工技术学报,2005,20(2):36-40. |
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| 作者姓名： | 余岳辉 梁琳 李谋涛 刘玉华 刘璐 |
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| 作者单位： | 华中科技大学电子科学与技术系,武汉,430074 |
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| 摘 要： | 基于反向注入控制RSD(Reversely Switched Dynistor)的大面积快速均匀开通、可无限串联、功率大、换流效率高、寿命长的特点,新开通机制的RSD将在脉冲功率技术中获得重要应用.本文研究了RSD的开通机理和开通条件,为器件开通特性的改进和预充电路的合理设计提供了依据;实验还表明,由小直径RSD的极限电流测试结果,可以用经验公式得到同类结构的任意通流面积RSD脉冲大电流耐量.
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| 关 键 词： | 大功率 开关 开通特性 脉冲 |
| 修稿时间： | 2004年6月30日 |
Study on Turn-on Mechanism and High-Current Characteristics of High-Speed Semiconductor Switch RSD |
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| Yu Yuehui,Liang Lin,Li Moutao,Liu Yuhua,Liu Lu.Study on Turn-on Mechanism and High-Current Characteristics of High-Speed Semiconductor Switch RSD[J].Transactions of China Electrotechnical Society,2005,20(2):36-40. |
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| Authors: | Yu Yuehui Liang Lin Li Moutao Liu Yuhua Liu Lu |
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| Affiliation: | Huazhong University of Science and Technology Wuhan 430074 China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | RSD |
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