| 用于精确预测SiC MOSFET开关特性的分析模型 |
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| 引用本文： | 梁美,郑琼林,李艳,巴腾飞.用于精确预测SiC MOSFET开关特性的分析模型[J].电工技术学报,2017,32(1). |
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| 作者姓名： | 梁美 郑琼林 李艳 巴腾飞 |
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| 作者单位： | 北京交通大学电气工程学院 北京 100044 |
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| 摘 要： | 为精确估算高频工作状态下SiC MOSFET的开关损耗及分析寄生参数对其开关特性的影响,提出了一种基于SiC MOSFET的精准分析模型。该模型考虑了寄生电感、SiC MOSFET非线性结电容及非线性跨导系数等参数。详细介绍了建立分析模型的原理,并给出了分析模型中各关键参数的提取方法。对比了基于分析模型计算得到的开关波形与实验测试结果,对比电压电流波形匹配度较高,证明了此分析模型的正确性。对比了分析模型的开关损耗与基于实验计算的开关损耗,对比结果显示两者存在偏差,而分析表明基于实验计算开关损耗的方法为不准确方法。最后基于所提出的分析模型分析了不同寄生参数对开关特性的影响,并为优化高频电路设计提出了建议。
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| 关 键 词： | 分析模型 碳化硅MOSFET 寄生参数 开关特性 开关损耗 |
Analytical Model of SiC MOSFET for Accurately Predicting the Switching Performance |
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| Liang Mei,Zheng Qionglin,Li Yan,Ba Tengfei.Analytical Model of SiC MOSFET for Accurately Predicting the Switching Performance[J].Transactions of China Electrotechnical Society,2017,32(1). |
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| Authors: | Liang Mei Zheng Qionglin Li Yan Ba Tengfei |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Analytical model SiC MOSFET parasitic elements switching performance switching loss |
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