首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     检索      

基于MOSFET的串联谐振双有源桥死区振荡机理分析及抑制
引用本文:胡钰杰,李子欣,赵聪,罗龙,李耀华.基于MOSFET的串联谐振双有源桥死区振荡机理分析及抑制[J].电工技术学报,2022,37(10):2549-2558.
作者姓名:胡钰杰  李子欣  赵聪  罗龙  李耀华
作者单位:中国科学院电力电子与电气驱动重点实验室(中国科学院电工研究所) 北京 100190;中国科学院大学 北京 100049
基金项目:国家自然科学基金资助项目(52007180);
摘    要:基于MOSFET的串联谐振双有源桥(DAB)变换器可同时实现所有功率器件的零电压开通(ZVS)和零电流关断(ZCS),具有效率高的优点,被广泛应用于电力电子变压器(PET)隔离DC-DC环节。然而,在采用隔离变压器的DAB中,由于MOSFET寄生电容的存在,在死区时间内器件寄生电容与隔离变压器漏感会产生高频振荡,增加了通态损耗。该文建立死区时间内串联谐振DAB的等效电路,分析死区时间内高频振荡电流幅值与关断时刻电流的数学关系。为抑制高频振荡,提出基于开关频率微调的振荡抑制方法。实验结果表明了理论分析的正确性和高频振荡抑制方法的有效性。

关 键 词:串联谐振双有源桥  MOSFET寄生电容  励磁电流  死区高频振荡  高频振荡抑制

Mechanism Analysis and Suppression of Oscillation in Dead Time of Series Resonant Dual Active Bridge Based on MOSFET
Hu Yujie,Li Zixin,Zhao Cong,Luo Long,Li Yaohua.Mechanism Analysis and Suppression of Oscillation in Dead Time of Series Resonant Dual Active Bridge Based on MOSFET[J].Transactions of China Electrotechnical Society,2022,37(10):2549-2558.
Authors:Hu Yujie  Li Zixin  Zhao Cong  Luo Long  Li Yaohua
Abstract:
Keywords:
本文献已被 万方数据 等数据库收录!
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号