| 同步整流器中MOSFET的双向导电特性和整流损耗研究 |
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| 引用本文： | 胡宗波,张波.同步整流器中MOSFET的双向导电特性和整流损耗研究[J].中国电机工程学报,2002,22(3):88-93. |
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| 作者姓名： | 胡宗波 张波 |
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| 作者单位： | 华南理工大学电力学院,广东,广州,510640 |
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| 摘 要： | 该文从理论和实验上研究了MOSFET的双向导电特性，得出了完整的双向漏源电压电流特性曲线，为MOSFET在同步整流中的实际应用奠定了理论基础。同步整流效率取决于MOSFET整流损耗，为此，该文其于MOSFET的等效损耗模型，深入研究了MOSFET整流损耗与其参数、栅极驱动电压和开关工作频率的相互关系，得到MOSFET同步整流效率曲线。此外，文中还对输出大电流时MOSFET整流损耗和肖特基二级管整流损耗进行了比较，提出了大电流运行时多管MOSFET并联整流方式。该文的工作对同步整流器中开关频率、栅极驱动电压、单管或多管并联运行方式的选择具有实际指标意义。
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| 关 键 词： | 同步整流器 MOSFET 双向导电特性 整流损耗 |
| 文章编号： | 0258-8013(2002)03-0088-06 |
| 修稿时间： | 2001年10月17 |
STUDY ON BI-DIRECTIONAL CONDUCTIBILITY AND POWER LOSS OF POWER MOSFETS IN SYNCHRONOUS RECTIFIERS |
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