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| 气体绝缘开关设备中特快速瞬态过电压研究的新进展 | |
| 引用本文： | 陈维江,颜湘莲,王绍武,王承玉,李志兵,戴敏,李成榕,刘卫东,陈海波,张乔根,魏光林,张猛.气体绝缘开关设备中特快速瞬态过电压研究的新进展[J].中国电机工程学报,2011,31(31). |
| 作者姓名： | 陈维江 颜湘莲 王绍武 王承玉 李志兵 戴敏 李成榕 刘卫东 陈海波 张乔根 魏光林 张猛 |
| 作者单位： | 1. 国家电网公司,北京市西城区,100031 2. 中国电力科学研究院,北京市海淀区,100192 3. 国网电力科学研究院,湖北省武汉市,430074 4. 华北电力大学,北京市昌平区,102206 5. 清华大学,北京市海淀区,100084 6. 西安交通大学,陕西省西安市,710049 7. 河南平高电气股份有限公司,河南省平顶山市,467001 8. 西安西电电气股份有限公司,陕西省西安市,710077 |
| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划项目(973项目)(2011CB209405); 国家电网公司科技项目(SGKJJSKF[2009]776)~~ |
| 摘 要： | 气体绝缘开关设备（gas insulated switchgear,GIS）中的隔离开关操作空载短母线会产生陡波前、高幅值的特快速瞬态过电压（very fast transient overvoltage,VFTO）、瞬态壳体电位和电磁干扰,对GIS及其连接的具有绕组的设备、与壳体连接的二次设备绝缘产生危害,干扰二次设备工作,严重影响设备的安全运行。对2009年前国内外在VFTO测量方法、特性试验、数字仿真和对绝缘影响以及外部VFTO方面的研究状况进行了综述。概要总结了国家电网公司在特高压GIS中VFTO实测及仿真研究方面取得的新进展,提出了特高压GIS中VFTO需要深化研究的内容,即重点关注VFTO的传播特性与仿真建模,VFTO下的绝缘特性和机制研究,以期全面掌握特高压GIS中VFTO特性,对特高压输变电设备的研制、工程设计和运行提供依据和有益的参考。 |
| 关 键 词： | 特高压 气体绝缘开关设备 特快速瞬态过电压 暂态壳体电位 隔离开关 电磁干扰 |
Recent Progress in Investigations on Very Fast Transient Overvoltage in Gas Insulated Switchgear |
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| CHEN Weijiang,YAN Xianglian,WANG Shaowu,WANG Chengyu,LI Zhibing,DAI Min,LI Chengrong,LIU Weidong,CHEN Haibo,ZHANG Qiaogen,WEI Guanglin,ZHANG Meng.Recent Progress in Investigations on Very Fast Transient Overvoltage in Gas Insulated Switchgear[J].Proceedings of the CSEE,2011,31(31). | |
| Authors: | CHEN Weijiang YAN Xianglian WANG Shaowu WANG Chengyu LI Zhibing DAI Min LI Chengrong LIU Weidong CHEN Haibo ZHANG Qiaogen WEI Guanglin ZHANG Meng |
| Affiliation: | CHEN Weijiang1,YAN Xianglian2,WANG Shaowu1,WANG Chengyu2,LI Zhibing2,DAI Min3,LI Chengrong4,LIU Weidong5,CHEN Haibo1,ZHANG Qiaogen6,WEI Guanglin7,ZHANG Meng8(1.State Grid Corporation of China,Xicheng District,Beijing 100031,China,2.China Electric Power Research Institute,Haidian District,Beijing 100192,3.State Grid Electric Power Research Institute,Wuhan 430074,Hubei Province,4.North China Electric University,Changping District,Beijing 102206,5.Tsinghua University,Beijing... |
| Abstract: | Very fast transient overvoltage(VFTO),transient enclosure voltage(TEV) and electromagnetic interference(EMI) with steep wave-front and high amplitude are generated during switching of disconnector in gas insulated switchgear(GIS) with no-load short busbar.The transient voltages cause high stress on the insulation of GIS,equipment connected to GIS and electronic devices connected to GIS enclosure.And the operation of electronic devices is interfered by EMI.VFTO and associated effects have seriously affected ... |
| Keywords: | ultra high voltage(UHV) gas insulated switchgear(GIS) very fast transient overvoltages(VFTO) transient enclosure voltage(TEV) disconnector switch(DS) electromagnetic interference(EMI) |
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