| 1 700 V IGBT模块直接串联驱动设计 |
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| 引用本文： | 李伟邦,侯凯,范镇淇,骆健.1 700 V IGBT模块直接串联驱动设计[J].智能电网,2013,1(2):31-36. |
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| 作者姓名： | 李伟邦 侯凯 范镇淇 骆健 |
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| 作者单位： | 南瑞集团公司技术中心;南瑞集团公司技术中心;南瑞集团公司技术中心;南瑞集团公司技术中心 |
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| 摘 要： | 绝缘栅双极型晶体管(insulated-gate bipolar transistor，IGBT)在高压大功率场合的应用越来越广泛，但是高压IGBT的器件价格昂贵，低压IGBT由于耐压的限制，在高压大功率电能变换场合还不能满足需求。直接串联使用是一种较好的解决方案。结合IGBT的直接串联驱动需求，从安全隔离、可靠门级钳位、有源电压控制和过流保护等方面进行研究，设计出相应的门极驱动保护单元(gate drive and protection unit，GDU)并将其运用在3 kV/200 A三相逆变系统，结果验证了驱动的可靠性。
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| 关 键 词： | 绝缘栅双极型晶体管 串联 有源电压控制 三相逆变系统 |
Driver Design for Series Connection of 1 700 V IGBTs |
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| LI Weibang,HOU Kai,FAN Zhenqi and LUO Jian.Driver Design for Series Connection of 1 700 V IGBTs[J].Smart Grid,2013,1(2):31-36. |
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| Authors: | LI Weibang HOU Kai FAN Zhenqi and LUO Jian |
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| Affiliation: | Technology Center, NARI Group Corporation;Technology Center, NARI Group Corporation;Technology Center, NARI Group Corporation;Technology Center, NARI Group Corporation |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | insulated-gate bipolar transistor (IGBT) series connection active voltage control three-phase inverter system |
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