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三段式门极驱动抑制MOSFET关断过冲振荡的研究
引用本文:王孝伟,李铁才,石坚,林琦.三段式门极驱动抑制MOSFET关断过冲振荡的研究[J].电机与控制学报,2013(7):1-6.
作者姓名:王孝伟  李铁才  石坚  林琦
作者单位:哈尔滨工业大学深圳研究生院;深圳航天科技创新研究院;哈尔滨工业大学电气工程及自动化学院
基金项目:“十二五”国防预研资助项目
摘    要:针对电机等感性负载电路中,金属氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconduc-tor field effect transistor,MOSFET)关断瞬间容易产生高幅值的高频电压振荡,不仅增加了系统的电压应力,还为系统带来严重的电磁干扰的问题,对MOSFET的关断行为进行研究,通过分析低侧功率驱动电路中门极电压对MOSFET关断过程的影响,推导出了关断过冲电压随门极电压变化的关系式;基于分析提出了闭环的三段式门极电压控制方法,并设计了电路,电路在漏极电压首次超过母线电压的瞬间,自动生成一段辅助电平信号,并施加至门极,用以抑制电压过冲和振荡。分析及实验结果表明,该电路简单、灵活、动态响应迅速,可以非常有效的抑制高幅值的高频电压振荡。

关 键 词:MOSFET  电磁干扰  电压过冲  电压振荡  米勒效应
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