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三维集成电路中TTSV热仿真分析*
引用本文:伍敏君.三维集成电路中TTSV热仿真分析*[J].电工技术,2023(21):108-110.
作者姓名:伍敏君
作者单位:中山火炬职业技术学院光电信息学院
摘    要:为更好地研究三维集成电路中的热问题,以两层芯片为例,建立了一维热阻分析模型,在MATLAB软件进行建模与数值计算,分析不含热硅通孔、含热硅通孔两种情况下芯片的热特性,并将数据与COMSOL Multiphysics平台的仿真结果作对比。实验结果表明,两者数据的相对误差小于1%,说明建立的热分析模型有效且可靠,加入热硅通孔后各层芯片温度下降,更有利于三维集成电路的热传导。

关 键 词:三维集成电路  热硅通孔  热分析  热仿真
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