| 寄生电感在IGBT开关损耗测量中的影响 |
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| 引用本文： | 沈燕群,邓焰,何湘宁.寄生电感在IGBT开关损耗测量中的影响[J].电源学报,2009,7(4):344-349. |
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| 作者姓名： | 沈燕群 邓焰 何湘宁 |
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| 作者单位： | 浙江大学电气工程学院 杭州 310027;浙江大学电气工程学院 杭州 310027;浙江大学电气工程学院 杭州 310027 |
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| 摘 要： | MOS门极功率开关元件的开关损耗受工作电压、电流、温度以及门极驱动电阻等因素影响，在测量时主要以这些物理量为参变量。但测量的非理想因素对测量结果影响是值得注意的，比如常见的管脚引线电感。本文以实用的功率器件测试平台建造为背景，在理论分析和实验数据基础上阐述了各寄生电感对IGBT开关损耗测量结果的影响。
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| 关 键 词： | 开关损耗测量，IGBT，寄生电感 |
| 收稿时间： | 9/2/2009 12:00:00 AM |
Effects of Parasitic Inductance over IGBT Switching Loss Measurement |
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| SHEN Yanqun,DENG Yan and HE Xiangning.Effects of Parasitic Inductance over IGBT Switching Loss Measurement[J].Journal of power supply,2009,7(4):344-349. |
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| Authors: | SHEN Yanqun DENG Yan and HE Xiangning |
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| Affiliation: | College of Electrical Engineering, Zhejiang University, Hangzhou 310027 |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Switching loss measurement IGBT Parasitic inductance |
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