| 恒定直流功率负荷下多晶硅微电阻电阻一时间特性测量 |
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| 引用本文： | 胡明,A.M.Robinson.恒定直流功率负荷下多晶硅微电阻电阻一时间特性测量[J].电子测量与仪器学报,1999(3). |
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| 作者姓名： | 胡明 A.M.Robinson |
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| 作者单位： | 天津大学电子信息工程学院!天津300072 |
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| 摘 要： | 利用数字式恒定功率测试系统（ＤＣＰＳ）对多晶硅微电阻进行恒定直流功率负荷下电阻随时间变化特性的测量实验。用标准ＣＭＯＳ工艺和后续的腐蚀工艺制成悬浮结构多晶硅微电阻。测试结果表明，在恒定直流功率条件下工作的微电阻的稳定性由临界功率Ｐ_（ｃｒｉ）值决定，当负荷于电阻上的恒定直流功率Ｐ≤Ｐ_（ｃｒｉ）时，电阻值在负荷时间内保持常量；当Ｐ＞Ｐ_（ｃｒｉ）时，电阻值随时间增加而增加。临界功率值决定于流过电阻的电流密度、电阻结构尺寸以及环境温度。计算得到多晶硅薄膜的临界电流密度为 １０~５Ａ／ｃｍ~２数量级，不同于集成电路中的多晶硅薄膜的相应数值。
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| 关 键 词： | 恒定功率 多晶硅微电阻 微机械传感器 临界功率 |
Measurement for R-T Characteristic of Polysilicon Microresistor Under Constant Power Operation |
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| Hu Ming,A. M. Robinson.Measurement for R-T Characteristic of Polysilicon Microresistor Under Constant Power Operation[J].Journal of Electronic Measurement and Instrument,1999(3). |
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| Authors: | Hu Ming A M Robinson |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Constant power Polysilicon microresistor Micromechanical sensor Critical power |
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