偏压热刺激表面电位衰减:测量陷阱参数的新方法 |
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引用本文: | 王玉芬,刘付德.偏压热刺激表面电位衰减:测量陷阱参数的新方法[J].电子测量与仪器学报,1993,7(2):32-36. |
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作者姓名: | 王玉芬 刘付德 |
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作者单位: | 西安交通大学 博士生(王玉芬),华南理工大学 博士(刘付德),西安交通大学 教授(刘耀南) |
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摘 要: | 针对现有的绝大部分陷阱能态分布测试方法都不能区分电子陷阱和空穴陷阱的贡献,而等温表面电位衰减虽能区分双载流子的贡献却耗时太长的缺点,本文提出一种能克服上述缺点的新方法——偏压热刺激表面电位衰减测试技术。这一方法所考虑的模型比较接近实际情况,并能快速而方便地分别测得电子陷阱和空穴陷阱的能级密度。
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关 键 词: | 陷阱 热刺激 表面电位衰减 测量 |
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