SiC功率器件在Buck电路中的应用研究 |
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引用本文: | 马策宇,陆蓉,袁源,秦海鸿.SiC功率器件在Buck电路中的应用研究[J].电力电子技术,2014(8). |
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作者姓名: | 马策宇 陆蓉 袁源 秦海鸿 |
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作者单位: | 南京航空航天大学; |
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基金项目: | 教育部博士点基金资助项目(20123218120017);南京航空航天大学创新创业训练计划(201310287148)~~ |
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摘 要: | 近年来,一种新型半导体器件碳化硅(SiC)以其优良的性能逐渐受到人们的关注。介绍了SiC的材料特性及基于SiC的功率开关器件的特性,并对其在Buck电路中的应用进行了探索。主要对SiC器件的特性参数进行分析,并对Buck电路的主功率部分及控制驱动部分进行了设计。通过设计Buck电路并进行仿真实验,验证了理论设计的正确性。实验结果表明,SiC MOSFET器件在高频大电压的应用场合相对于硅(Si)MOSFET器件有着开关损耗低,效率高等优点。
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关 键 词: | 半导体器件 特性参数 主功率部分 控制驱动部分 |
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