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| 功率MOSFET器件安全工作区的研究 | |
| 作者姓名： | 许迪迪 张小玲 齐浩淳 谢雪松 |
| 作者单位： | 北京工业大学信息学部;华峰测控技术(天津)有限责任公司;中国人民解放军68129部队 |
| 摘 要： | 功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的热不稳定现象,限制了MOSFET的安全工作区。为得到符合实际的安全工作区,建立了一种分析模型,综合考虑了电流温度系数、热阻等因素,分析解释热不稳定产生条件,通过与实验数据的对比,证明了模型的正确性,得到了更符合实际的安全工作区。 |
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